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Leistungs-MOSFET's N-Kanal / P-Kanal in TO220-Gehäuse
N-Ch Leistungs-MOSFET Gehäuse TO-220 Dauer-Drainstrom Id: 5.6A Drain-Source-Spannung Vds: 100V Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm Rds(on)-Messspannung Vgs: 10V Schwellenspannung Vgs: 4V Verlustleistung Pd: 43W
N-Ch Leistungs-MOSFET Gehäuse TO-220 UDS 100 V Ic25 14 A RDS(on) 0,16 Ohm td (on) 10 ns UGS(th) 2 V td (off) 10 ns
N-Ch Leistungs-MOSFE Gehäuse TO-220 UDS 100 V Ic25 28 A RDS(on) 0,044 Ohm td (on) 11 ns UGS(th) 2 V td (off) 11 ns
N-Ch Leistungs-MOSFE Gehäuse TO-220 UDS 200 V Ic25 9 A RDS(on) 0,4 Ohm td (on) 9,4 ns UGS(th) 2 V td (off) 9,4 ns
N-Ch Leistungs-MOSFE Gehäuse TO-220 UDS 200 V Ic25 18 A RDS(on) 0,18 Ohm td (on) 14 ns UGS(th) 2 V td (off) 14 ns
N-Ch Leistungs-MOSFE Gehäuse TO-220 UDS 500 V Ic25 8 A RDS(on) 0,85 Ohm td (on) 14 ns UGS(th) 2 V td (off) 14 ns
P-Ch Leistungs-MOSFE Gehäuse TO-220 UDS 100 V Ic25 12 A RDS(on) 0,3 Ohm td (on) 12 ns UGS(th) 2 V td (off) 12 ns
P-Ch Leistungs-MOSFE Gehäuse TO-220 UDS 100 V Ic25 19 A RDS(on) 0,2 Ohm td (on) 16 ns UGS(th) 2 V td (off) 16 ns
N-Ch Leistungs-MOSFE Gehäuse TO-247 UDS 200 V Ic25 20 A RDS(on) 0,18 Ohm td (on) 14 ns UGS(th) 2 V td (off) 14 ns
N-Ch Leistungs-MOSFE Gehäuse TO-247 UDS 200 V Ic25 50 A RDS(on) 0,04Ohm td (on) 16 ns UGS(th) 2 V td (off) 17 ns
N-Ch Leistungs-MOSFE Gehäuse TO-247 UDS 500 V Ic25 14 A RDS(on) 0,4 Ohm td (on) 17 ns UGS(th) 2 V td (off) 17 ns
N-Ch Leistungs-MOSFE Gehäuse TO-247 UDS 500 V Ic25 20 A RDS(on) 0,27 Ohm td (on) 18 ns UGS(th) 2 V td (off) 18 ns