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IRF9Z34N P-Kanal MOSFET,55V, 19A, 68W, TO-220 Vergrößern

IRF9Z34N P-Kanal MOSFET,55V, 19A, 68W, TO-220

IRF9Z34N

Neu

HEXFET IRF9Z34NPBF P-Kanal MOSFET, 55 V / 19 A, 68 W, TO-220AB 3-Pin

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Channel-TypP
Dauer-Drainstrom max.19 A
Drain-Source-Spannung max.55 V
Drain-Source-Widerstand max.100 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.4V
Gate-Schwellenspannung min.2V
Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
GehäusegrößeTO-220AB
Montage-TypDurchsteckmontage
Pinanzahl3
Transistor-KonfigurationEinfach
Channel-ModusEnhancement
KategorieLeistungs-MOSFET
Verlustleistung max.68 W
Länge10.54mm
Ausschaltverzögerungszeit30 ns
Eingangskapazität typ. @ Vds620 pF @ 25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs35 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.-55 °C
Einschaltverzögerungszeit13 ns

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