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N/P-Kanal MOSFET Dual, 40 V 4,4 A, 6,2 A, SOIC 8-Pin
Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET
inkl. gesetzl. MwSt. zzgl. Versandkosten
DHL: 2,96 € / Versandkostenfrei ab 29 €
Beschreibung
Channel-Typ: N , P | |
Dauer-Drainstrom max. | 4,4 A; 6,2 A |
Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
Drain-Source-Widerstand max. | 29 mΩ, 46 mΩ |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Gehäusegröße | SOIC |
Montage-Typ | Oberflächenmontage |
Pinanzahl | 8 |
Transistor-Konfiguration | Isoliert |
Channel Mode | Enhancement |
Kategorie | Leistungs-MOSFET |
Verlustleistung max. | 2 W |
Abmessungen | 5 x 4 x 1.5mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Serie | PowerTrench |
Höhe | 1.5mm |
Länge | 5mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14 nC @ 10 V, 20 nC @ 10 V |
Typical Turn-Off Delay Time | 23 ns, 45 ns |
Eingangskapazität typ. @ Vds | 760 pF @ 20 V, 1050 pF @ 20 V |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Typical Turn-On Delay Time | 9 ns (N), 12 ns (P) |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 4mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Artikeldetails
FDS4897C
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