Artikel-Nr.: IRF9Z34N
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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V 97 A, 9 mΩ, TO-220 3-Pin, 230 W, Serie HEXFET Si
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Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 97 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Drain-Source-Widerstand max. | 9 mΩ |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Gehäusegröße | TO-220 |
Montage-Typ | Durchsteckmontage |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Channel-Modus | Enhancement |
Kategorie | Leistungs-MOSFET |
Verlustleistung max. | 230 W |
Serie | HEXFET |
Höhe | 16.51mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Einschaltverzögerungszeit | 16 ns |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 19 nC @ 50 V |
Eingangskapazität typ. @ Vds | 4820 pF @ 50 V |
Diodendurchschlagsspannung | 1.3V |
Vorwärtssteilheit | 140S |
Ausschaltverzögerungszeit | 43 ns |
Breite | 4.83mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Artikel-Nr.: IRF9Z34N
Artikel-Nr.: IRFU320PBF
Artikel-Nr.: IRFP260
Artikel-Nr.: IRF1010EPBF
Artikel-Nr.: FDPF55N06
Artikel-Nr.: FQP30N06L
Artikel-Nr.: IRLZ44N/10
Artikel-Nr.: STW20NM50
Artikel-Nr.: IRLB8721
Artikel-Nr.: IRF540
Artikel-Nr.: IRF3708
Artikel-Nr.: STP10NK60
Artikel-Nr.: STP26NM60N
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