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P-Kanal MOSFET SUD50P04-09L-E3, 40V 50A 136W 9.4mohm @ 10V DPAK (TO-252) 3-Pin
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| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 50 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10,5 mΩ |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.5V |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Pinanzahl | 3 |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET |
| Verlustleistung max. | 48,1 W |
| Höhe | 2.38mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 6.73mm |
| Breite | 6.22mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 2400 pF @ 20 V |
| Abmessungen | 6.73 x 6.22 x 2.38mm |
| Ausschaltverzögerungszeit | 45 ns |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Einschaltverzögerungszeit | 30 ns |
Artikel-Nr.: IRF4104
Artikel-Nr.: IRFR9024
Artikel-Nr.: R5007ANJ
Artikel-Nr.: SUD50N06
Artikel-Nr.: STD18N65M5
Artikel-Nr.: STD80N6F6
Artikel-Nr.: FDD390N15A
Artikel-Nr.: IRLR2905
Artikel-Nr.: IRLR8743
Artikel-Nr.: SUD50N04-8M8P-4GE3
Artikel-Nr.: STGB10NC60
Artikel-Nr.: IRLR3705Z
Artikel-Nr.: FQB33N10LTM
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P-Kanal MOSFET SUD50P04-09L-E3, 40V 50A 136W 9.4mohm @ 10V DPAK (TO-252) 3-Pin
