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N/P-Kanal MOSFET Dual, 40 V 4,4 A, 6,2 A, SOIC 8-Pin
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N/P-Kanal MOSFET Dual, 40 V 4,4 A, 6,2 A, SOIC 8-Pin

FDS4897C

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET 

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Beschreibung
Channel-Typ: N , P
Dauer-Drainstrom max. 4,4 A; 6,2 A
Drain-Source-Spannung max. 40 V
Drain-Source-Widerstand max. 29 mΩ, 46 mΩ
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Gate-Source Spannung max. ±20 V
Gehäusegröße SOIC
Montage-Typ Oberflächenmontage
Pinanzahl 8
Transistor-Konfiguration Isoliert
Channel Mode Enhancement
Kategorie Leistungs-MOSFET
Verlustleistung max. 2 W
Abmessungen 5 x 4 x 1.5mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Serie PowerTrench
Höhe 1.5mm
Länge 5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 14 nC @ 10 V, 20 nC @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time 23 ns, 45 ns
Eingangskapazität typ. @ Vds 760 pF @ 20 V, 1050 pF @ 20 V
Betriebstemperatur min. -55 °C
Typical Turn-On Delay Time 9 ns (N), 12 ns (P)
Transistor-Werkstoff Si
Breite 4mm
Anzahl der Elemente pro Chip 2
Artikeldetails
FDS4897C
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