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Epitaxial-Silizium-Transistoren

Technische Daten:
Gehäuse:	TO 92
Temperaturbereich:	-55°C bis +150°C

Artkbz:	Typ:	V_CEO:	I_C:	P_tot:	B:	Ausführung:
BC547C/IL	NPN	45 V	0,1 A	0,5 W	200-450	lose

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