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N-Kanal MOSFET, 30 V / 18,5 A, 2,5 W, SOIC 8-Pin
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FDS8813NZ N-Kanal MOSFET, 30 V / 18,5 A, 2,5 W, SOIC 8-Pin

FDS8813NZ

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor

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Beschreibung
EigenschaftWert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 18,5 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Drain-Source-Widerstand max. 6,6 mΩ
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße SOIC
Montage-Typ SMD
Transistor-Konfiguration Einfach
Pinanzahl 8
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 2,5 W
Länge 4.9mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 28 nC @ 5 V, 55 nC @ 10 V
Abmessungen 4.9 x 3.9 x 1.575mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Serie PowerTrench
Höhe 1.575mm
Eingangskapazität typ. @ Vds 3115 pF @ 15 V
Breite 3.9mm
Einschaltverzögerungszeit 13 ns
Transistor-Werkstoff Si
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Ausschaltverzögerungszeit 39 ns
Artikeldetails
FDS8813NZ
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