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SCT2450KEC N-Kanal MOSFET , 1200 V, 10 A
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SCT2450KEC N-Kanal MOSFET , 1200 V, 10 A

SCT2450KEC

N-Kanal MOSFET SCT2450KEC, 1200 V, 10 A, 610 mΩ, TO-247 3-Pin, 85 W, Serie SCT2450KE SiC

12,90 €
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Beschreibung
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 10 A
Drain-Source-Spannung max. 1200 V
Drain-Source-Widerstand max. 610 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 1.6V
Gate-Source Spannung max. -6 V, +22 V
Gehäusegröße TO-247
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Channel-Modus Enhancement
Kategorie Leistungs-MOSFET
Verlustleistung max. 85 W
Gate-Ladung typ. @ Vgs 27 nC @ 18 V
Einschaltverzögerungszeit 19 ns
Transistor-Werkstoff SiC
Ausschaltverzögerungszeit 38 ns
Vorwärtssteilheit 1S
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 15.9mm
Serie SCT2450KE
Diodendurchschlagsspannung 4.3V
Abmessungen 20.95 x 15.9 x 5.03mm
Länge 20.95mm
Höhe 5.03mm
Betriebstemperatur max. +175 °C
Eingangskapazität typ. @ Vds 463 pF @ 800 V
Artikeldetails
SCT2450KEC
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