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Mos-Fet P- 60V, 80A, 23mΩ, TO-220, 340W
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MOS-FET P-Kanal 60V, 80A, 23mΩ, TO-220, 340W

SPP80P06PH

P-Kanal MOSFET SPP80P06PHXKSA1, 60 V, 80 A, 23 mΩ, TO-220 3-Pin, 340 W, Serie SIPMOS Si

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Beschreibung
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 80 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Drain-Source-Widerstand max. 23 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 2.1V
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße TO-220
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Channel-Modus Enhancement
Kategorie Leistungs-MOSFET
Verlustleistung max. 340 W
Einschaltverzögerungszeit 24 ns
Gate-Ladung typ. @ Vgs 115 nC @ 10 V
Eingangskapazität typ. @ Vds 4026 pF bei –25 V
Diodendurchschlagsspannung 1.6V
Vorwärtssteilheit 36S
Ausschaltverzögerungszeit 56 ns
Breite 4.57mm
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Höhe 15.95mm
Serie SIPMOS
Betriebstemperatur max. +175 °C
Betriebstemperatur min. –55 °C
Länge 10.36mm
Abmessungen 10.36 x 4.57 x 15.95mm
Transistor-Werkstoff Si
Artikeldetails
SPP80P06PH
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