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FQPF20N60 N-Kanal MOSFET, 600 V 20 A, TO-220F
N-Kanal MOSFET Transistor , 600 V 20A , 0,37Ohm, TO-220F 3-Pin isoliert
inkl. gesetzl. MwSt. zzgl. Versandkosten
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Beschreibung
Type of control channel: N -Channel
Maximum power dissipation (Pd), W: 36
Maximum drain-source voltage |Uds|, V: 600
Maximum gate-source voltage |Ugs|, V: 30
Maximum drain current |Id|, A: 11
Maximum junction temperature (Tj), °C: 150
Maximum drain-source on-state resistance (Rds), Ohm: 0.38
Package: TO220F
Artikeldetails
FQPF20N60
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