Artikel-Nr.: STP55NF06L
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| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 31 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 24 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 45 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Länge | 10.75mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
Artikel-Nr.: STP55NF06L
Artikel-Nr.: FQPF20N06L
Artikel-Nr.: IRFZ44N
Artikel-Nr.: IRFZ48N
Artikel-Nr.: IRFB4110
Artikel-Nr.: FQP27P06
Artikel-Nr.: IRL530N
Artikel-Nr.: IRL640
Artikel-Nr.: IRFB4410
Artikel-Nr.: IRF3710
Artikel-Nr.: FQPF5N60C
Artikel-Nr.: IRLZ34N
Artikel-Nr.: STP80N10F7
Artikel-Nr.: IRFU320PBF
Artikel-Nr.: IRF530
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