Artikel-Nr.: IRF510
Banner
inkl. gesetzl. MwSt. zzgl. Versandkosten
DHL: 2,96 € / Versandkostenfrei ab 29 €
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 31 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 24 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 45 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Länge | 10.75mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
Artikel-Nr.: IRF510
Artikel-Nr.: STP80N10F7
Artikel-Nr.: IRFZ34N
Artikel-Nr.: IRF740
Artikel-Nr.: FQP27P06
Artikel-Nr.: FQPF12N60C
Artikel-Nr.: STP26NM60N
Artikel-Nr.: IRF510
Artikel-Nr.: FDP12N50
Artikel-Nr.: STP55NF06L
Artikel-Nr.: STP36NF06
Artikel-Nr.: IRFU320PBF
Artikel-Nr.: IRF840
Artikel-Nr.: STP10NK60
Ihre Bewertung der Rezension kann nicht gesendet werden
Kommentar melden
Meldung gesendet
Ihre Meldung kann nicht gesendet werden
Eigenen Kommentar verfassen
Bewertung gesendet
Ihre Bewertung kann nicht gesendet werden