Artikel-Nr.: IRF520
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Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 31 A |
Drain-Source-Spannung max. | 55 V |
Gehäusegröße | TO-220 |
Montage-Typ | Durchsteckmontage |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 24 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 45 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Länge | 10.75mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Artikel-Nr.: IRF520
Artikel-Nr.: STW20NM50
Artikel-Nr.: IRLB3034
Artikel-Nr.: IRL530NS
Artikel-Nr.: IRLZ34N/10
Artikel-Nr.: IRFP460
Artikel-Nr.: IRF1010EPBF
Artikel-Nr.: FQP13N06L
Artikel-Nr.: FDPF55N06
Artikel-Nr.: IRF510
Artikel-Nr.: IRF9540
Artikel-Nr.: STP36NF06
Artikel-Nr.: IRLB8721
Artikel-Nr.: IRFZ34N
Artikel-Nr.: IRF740
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