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| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 12 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 200 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 60 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V |
| Breite | 4.83mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 10.67mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 9.4mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Artikel-Nr.: IRL640
Artikel-Nr.: IRLB3036
Artikel-Nr.: IRLZ44N
Artikel-Nr.: IRL530N
Artikel-Nr.: FQPF2N60
Artikel-Nr.: IRFB3077PBF
Artikel-Nr.: STP60NF06
Artikel-Nr.: IRF9540
Artikel-Nr.: IRL540NPBF
Artikel-Nr.: IRLZ34N/10
Artikel-Nr.: IRF1010EPBF
Artikel-Nr.: IRF830
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