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RFP12N10L N- 100V 12A

Artikel-Nr. RFP12N10L

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Bruttopreis

Menge

inkl. gesetzl. MwSt. zzgl. Versandkosten

DHL: 2,96 € / Versandkostenfrei ab 29 €

Beschreibung
Artikeldetails

Beschreibung

Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	12 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	200 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	60 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-10 V, +10 V
Breite	4.83mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	10.67mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	9.4mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Artikeldetails

Artikel-Nr. RFP12N10L

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