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NDP6020P P-Kanal ,logic level, 20V, 24A, 60W
Leistungs-MOSFET P-Ch TO-220 Logic Level 20V 24A 60W
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Beschreibung
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 24 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Drain-Source-Widerstand max. | 80 mΩ |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Pinanzahl | 3 |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Verlustleistung max. | 60 W |
| Breite | 4.7mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 16.3mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Abmessungen | 10.67 x 4.7 x 16.3mm |
| Länge | 10.67mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Einschaltverzögerungszeit | 15 ns |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25 nC @ 5 V |
| Ausschaltverzögerungszeit | 120 ns |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 1590 pF @ –10 V |
Artikeldetails
NDP6020P
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