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STP80N10F7 N-Kanal MOSFET, 100 V / 80 A, 110 W, TO-220
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STP80NF10 N-Kanal MOSFET, 100 V / 80 A TO-220

STP80N10F7

STP 80NF10 MOSFET, N-Kanal, 100 V, 80 A, RDS(on) 0,012 Ohm, TO-220

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Beschreibung
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 80 A
Drain-Source-Spannung max. 100 V
Drain-Source-Widerstand max. 12 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße TO-220
Montage-Typ Durchsteckmontage
Transistor-Konfiguration Einfach
Pinanzahl 3
Channel-Modus Enhancement
Kategorie Leistungs-MOSFET
Verlustleistung max. 110 W
Höhe 4.6mm
Serie STripFET H7
Betriebstemperatur max. +175 °C
Länge 10.4mm
Abmessungen 10.4 x 15.75 x 4.6mm
Transistor-Werkstoff Si
Einschaltverzögerungszeit 19 ns
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 45 nC @ 10 V
Eingangskapazität typ. @ Vds 3100 pF @ 50 V
Ausschaltverzögerungszeit 36 ns
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 15.75mm

Artikeldetails
STP80N10F7
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