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FQPF12N60C N-Kanal MOSFET, 600 V 12 A, TO-220F
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FQPF5N60C N-Kanal MOSFET, 600 V 4,5 A, TO-220F

FQPF5N60C

N-Kanal MOSFET Transistor , 600 V 4,5A ,33W, 2,5Ohm, TO-220F 3-Pin isoliert

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Beschreibung

Type of control channel: N -Channel

Maximum power dissipation (Pd), W: 36

Maximum drain-source voltage |Uds|, V: 600

Maximum gate-source voltage |Ugs|, V: 30

Maximum drain current |Id|, A: 11

Maximum junction temperature (Tj), °C: 150

Maximum drain-source on-state resistance (Rds), Ohm: 0.38

Package: TO220F

Artikeldetails
FQPF5N60C
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