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IRF7319 Dual N/P-Kanal MOSFET, 30V, 4,9A, SOIC 8-Pin
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IRF7319 Dual N/P-Kanal MOSFET, 30V, 4,9A, SOIC 8-Pin

IRF7319TRPBF

N/P-Kanal MOSFET IRF7319TRPBF Dual, 30 V, 4,9 A; 6,5 A, 46 mΩ, 98 mΩ, SOIC 8-Pin, 2 W, Serie HEXFET Si

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Beschreibung
Channel-Typ N, P
Dauer-Drainstrom max. 4,9 A; 6,5 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Drain-Source-Widerstand max. 46 mΩ, 98 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. 1V
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße SOIC
Montage-Typ SMD
Transistor-Konfiguration Isoliert
Pinanzahl 8
Channel-Modus Enhancement
Kategorie Leistungs-MOSFET
Verlustleistung max. 2 W
Höhe 1.5mm
Serie HEXFET
Betriebstemperatur max. +150 °C
Ausschaltverzögerungszeit 26 ns, 34 ns
Länge 5mm
Abmessungen 5 x 4 x 1.5mm
Transistor-Werkstoff Si
Einschaltverzögerungszeit 8,1 ns, 13 ns
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 22 nC @ 10 V, 23 nC @ 10 V
Eingangskapazität typ. @ Vds 650 pF @ 25 V, 710 pF @ –25 V
Anzahl der Elemente pro Chip 2
Breite 4mm

Artikeldetails
IRF7319TRPBF
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