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N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
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| Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 18,5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6,6 mΩ |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Montage-Typ | SMD |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Pinanzahl | 8 |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Verlustleistung max. | 2,5 W |
| Länge | 4.9mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 28 nC @ 5 V, 55 nC @ 10 V |
| Abmessungen | 4.9 x 3.9 x 1.575mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Serie | PowerTrench |
| Höhe | 1.575mm |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 3115 pF @ 15 V |
| Breite | 3.9mm |
| Einschaltverzögerungszeit | 13 ns |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Ausschaltverzögerungszeit | 39 ns |
Artikel-Nr.: 2SJ74GR/2SK170GR
Artikel-Nr.: FDS8813NZ
Artikel-Nr.: FDS4897C
Artikel-Nr.: IRF7406
Artikel-Nr.: 2N6027
Artikel-Nr.: Irf9310
Artikel-Nr.: FQU5N40
Artikel-Nr.: BSP315PH
Artikel-Nr.: BS170FTA
Artikel-Nr.: IRLML2502
Artikel-Nr.: IRLML6401
Artikel-Nr.: 2N6028
Artikel-Nr.: BCR512
Artikel-Nr.: BS170
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N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
