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| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 195 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.7V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.1V |
| Verlustleistung max. | 375 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Artikel-Nr.: IRL640
Artikel-Nr.: IRF640N
Artikel-Nr.: IRFU320PBF
Artikel-Nr.: IRFP250
Artikel-Nr.: IRF630
Artikel-Nr.: STP55NF06L
Artikel-Nr.: NCE65T180F
Artikel-Nr.: IRFZ48N
Artikel-Nr.: IRLB8721
Artikel-Nr.: IRF510
Artikel-Nr.: IRL530NS
Artikel-Nr.: IRF9540
Artikel-Nr.: FQPF20N60
Artikel-Nr.: FQP27P06
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