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MOSFET N-Ch 60V 195A 375W 0,002R TO220AB

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Beschreibung
Artikeldetails

Beschreibung

Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	195 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	Durchsteckmontage
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	2 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.7V
Gate-Schwellenspannung min.	2.1V
Verlustleistung max.	375 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V

Artikeldetails

Artikel-Nr. IRFB7530

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