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Leistungs-MOSFET, N-Kanal, 60 V 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
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| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 55 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | TO-220F |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 22 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 48 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V |
| Breite | 4.9mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Länge | 10.36mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Serie | UniFET |
| Höhe | 16.07mm |
Artikel-Nr.: FQP13N06L
Artikel-Nr.: FQPF5N60C
Artikel-Nr.: STP36NF06
Artikel-Nr.: IRF9530
Artikel-Nr.: FQP30N06L
Artikel-Nr.: IRFP260
Artikel-Nr.: IRFB7530
Artikel-Nr.: IRFZ34N
Artikel-Nr.: FQPF12N60C
Artikel-Nr.: STP80N10F7
Artikel-Nr.: STW15NB50
Artikel-Nr.: IRF840
Artikel-Nr.: FDP12N50
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Leistungs-MOSFET, N-Kanal, 60 V 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
