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N-channel 60V - 0.032ohm - 30A - To-220
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| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 30 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 40 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 70 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -18 V, +18 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 4.6mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13 nC bei 5 V |
| Höhe | 9.15mm |
| Serie | STripFET |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Länge | 10.4mm |
Artikel-Nr.: STP26NM60N
Artikel-Nr.: NDP6020P
Artikel-Nr.: STP80N10F7
Artikel-Nr.: IRFU320PBF
Artikel-Nr.: IRF820
Artikel-Nr.: STW15NB50
Artikel-Nr.: BMS3003-1E
Artikel-Nr.: FQP27P06
Artikel-Nr.: IRLZ44N
Artikel-Nr.: IRFB4110
Artikel-Nr.: IRL530NS
Artikel-Nr.: IRF9Z34N
Artikel-Nr.: IRF3708
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N-channel 60V - 0.032ohm - 30A - To-220
