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logic level mosfet N-Kanal MOSFET , 60 V 13,6 A, 110 mΩ , TO-220AB 3-Pin
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| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 13,6 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Drain-Source-Widerstand max. | 110 mΩ |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET |
| Verlustleistung max. | 45 W |
| Einschaltverzögerungszeit | 8 ns |
| Höhe | 9.4mm |
| Serie | QFET |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Breite | 4.7mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 4,8 nC @ 5 V |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 270 pF bei 25 V |
| Ausschaltverzögerungszeit | 20 ns |
Artikel-Nr.: IRFB4110
Artikel-Nr.: IRF520
Artikel-Nr.: FQPF2N60
Artikel-Nr.: IRF530
Artikel-Nr.: STP10NK60
Artikel-Nr.: IRF820
Artikel-Nr.: IRF9Z34N
Artikel-Nr.: IRLI540NPBF
Artikel-Nr.: IRL530N
Artikel-Nr.: IRL1004
Artikel-Nr.: STP36NF06
Artikel-Nr.: IRF9530
Artikel-Nr.: BMS3003-1E
Artikel-Nr.: FDP12N50
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logic level mosfet N-Kanal MOSFET , 60 V 13,6 A, 110 mΩ , TO-220AB 3-Pin
