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IRLB3036 N-Kanal MOSFET 60V 270 A TO220AB 3Pin
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FQP13N06L N-Kanal MOSFET 60V 13,6A TO220AB 3Pin

FQP13N06L

logic level mosfet N-Kanal MOSFET , 60 V 13,6 A, 110 mΩ , TO-220AB 3-Pin

1,91 €
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Beschreibung
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 13,6 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Drain-Source-Widerstand max. 110 mΩ
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße TO-220AB
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Channel-Modus Enhancement
Kategorie Leistungs-MOSFET
Verlustleistung max. 45 W
Einschaltverzögerungszeit 8 ns
Höhe 9.4mm
Serie QFET
Betriebstemperatur max. +175 °C
Transistor-Werkstoff Si
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. -55 °C
Breite 4.7mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 4,8 nC @ 5 V
Eingangskapazität typ. @ Vds 270 pF bei 25 V
Ausschaltverzögerungszeit 20 ns
Artikeldetails
FQP13N06L
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