IRL640 N-MOSFET,logic level,200V, 17A

HEXFET® der dritten Generation von International Rectifier bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnell schaltendem, robustem Bauelementedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu 50 Watt bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die geringen Kosten des TO-220-Gehäuses sind der Grund für seine breite Akzeptanz in der Industrie.

Eigenschaften
• dynamische dv/dt-Bewertung
• fortschrittliche Prozesstechnologie
• Logik-Level-Gate-Ansteuerung
• RDS (ein) spezifiziert bei Vgs= 4V & 5V
• schnelles Schalten
• einfache Parallelisierung
• einfache Ansteuerungsanforderungen