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STP110N7F6 N-Kanal MOSFET 68 V, 110 A
STripFET H7 STP80N10F7 N-Kanal MOSFET, 100 V / 80 A, 110 W, TO-220 3-Pin
inkl. gesetzl. MwSt. zzgl. Versandkosten
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Beschreibung
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10 mΩ |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Pinanzahl | 3 |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET |
| Verlustleistung max. | 110 W |
| Höhe | 4.6mm |
| Serie | STripFET H7 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Länge | 10.4mm |
| Abmessungen | 10.4 x 15.75 x 4.6mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Einschaltverzögerungszeit | 19 ns |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 3100 pF @ 50 V |
| Ausschaltverzögerungszeit | 36 ns |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 15.75mm |
Artikeldetails
STP110N7F6
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