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IRF1010EPBF N-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB

Artikel-Nr. IRF1010EPBF

HEXFET IRF1010EPBF N-Kanal MOSFET, 60 V / 84 A, 200 W, TO-220AB 3-Pin

2,50 €

Bruttopreis

Menge

inkl. gesetzl. MwSt. zzgl. Versandkosten

DHL: 2,96 € / Versandkostenfrei ab 29 €

Beschreibung
Artikeldetails

Beschreibung

Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	84 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	Durchsteckmontage
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	12 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	200 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.54mm
Serie	HEXFET
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Breite	4.69mm
Höhe	8.77mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	130 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si

Artikeldetails

Artikel-Nr. IRF1010EPBF

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