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IRF1010EPBF N-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB
HEXFET IRF1010EPBF N-Kanal MOSFET, 60 V / 84 A, 200 W, TO-220AB 3-Pin
inkl. gesetzl. MwSt. zzgl. Versandkosten
DHL: 2,96 € / Versandkostenfrei ab 29 €
Beschreibung
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 84 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 12 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 200 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Länge | 10.54mm |
| Serie | HEXFET |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Breite | 4.69mm |
| Höhe | 8.77mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
Artikeldetails
IRF1010EPBF
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