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MOSFET, N-CH, 100V, 88A, 200W, TO-220AB

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Beschreibung
Artikeldetails

Beschreibung

Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	88 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	Durchsteckmontage
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	10 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	200 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V

Artikeldetails

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