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FDP12N50 N-Kanal MOSFET, 500 V / 11,5 A, 170 W
UniFET FDP12N50NZ N-Kanal MOSFET, 500 V / 11,5 A, 170 W, TO-220 3-Pin
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Beschreibung
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 11,5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 520 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 170 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 10.36mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Breite | 4.9mm |
| Serie | UniFET |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Höhe | 16.07mm |
Artikeldetails
FDP12N50
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