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FDP12N50 N-Kanal MOSFET, 500 V / 11,5 A, 170 W
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FDP12N50 N-Kanal MOSFET, 500 V / 11,5 A, 170 W

FDP12N50

UniFET FDP12N50NZ N-Kanal MOSFET, 500 V / 11,5 A, 170 W, TO-220 3-Pin

2,50 €
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Beschreibung
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 11,5 A
Drain-Source-Spannung max. 500 V
Gehäusegröße TO-220
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 520 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 3V
Verlustleistung max. 170 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 10.36mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. -55 °C
Breite 4.9mm
Serie UniFET
Gate-Ladung typ. @ Vgs 23 nC @ 10 V
Höhe 16.07mm
Artikeldetails
FDP12N50
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