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IRF9Z34N P-Kanal MOSFET,55V, 19A, 68W, TO-220
HEXFET IRF9Z34NPBF P-Kanal MOSFET, 55 V / 19 A, 68 W, TO-220AB 3-Pin
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Beschreibung
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 19 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V |
| Drain-Source-Widerstand max. | 100 mΩ |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET |
| Verlustleistung max. | 68 W |
| Länge | 10.54mm |
| Ausschaltverzögerungszeit | 30 ns |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 620 pF @ 25 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Einschaltverzögerungszeit | 13 ns |
Artikeldetails
IRF9Z34N
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