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IRF9Z34N P-Kanal MOSFET,55V, 19A, 68W, TO-220

Artikel-Nr. IRF9Z34N

HEXFET IRF9Z34NPBF P-Kanal MOSFET, 55 V / 19 A, 68 W, TO-220AB 3-Pin

2,91 €

Bruttopreis

Menge

inkl. gesetzl. MwSt. zzgl. Versandkosten

DHL: 2,96 € / Versandkostenfrei ab 29 €

Beschreibung
Artikeldetails

Beschreibung

Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	19 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Drain-Source-Widerstand max.	100 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	Durchsteckmontage
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Channel-Modus	Enhancement
Kategorie	Leistungs-MOSFET
Verlustleistung max.	68 W
Länge	10.54mm
Ausschaltverzögerungszeit	30 ns
Eingangskapazität typ. @ Vds	620 pF @ 25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	35 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Einschaltverzögerungszeit	13 ns

Artikeldetails

Artikel-Nr. IRF9Z34N

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