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HEXFET IRF9Z34NPBF P-Kanal MOSFET, 55 V / 19 A, 68 W, TO-220AB 3-Pin
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| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 19 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V |
| Drain-Source-Widerstand max. | 100 mΩ |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET |
| Verlustleistung max. | 68 W |
| Länge | 10.54mm |
| Ausschaltverzögerungszeit | 30 ns |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 620 pF @ 25 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Einschaltverzögerungszeit | 13 ns |
Artikel-Nr.: FQP13N06L
Artikel-Nr.: IRFZ34N
Artikel-Nr.: STW15NB50
Artikel-Nr.: IRFB4410
Artikel-Nr.: STP6NK90ZFP
Artikel-Nr.: STP20NM60FP
Artikel-Nr.: STP36NF06
Artikel-Nr.: IRLZ34N/10
Artikel-Nr.: FQPF2N60
Artikel-Nr.: IRLB3034
Artikel-Nr.: IRLI540NPBF
Artikel-Nr.: FQP30N06L
Artikel-Nr.: IRFB7530
Artikel-Nr.: FQPF33N10
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HEXFET IRF9Z34NPBF P-Kanal MOSFET, 55 V / 19 A, 68 W, TO-220AB 3-Pin
