Banner
HEXFET IRF9Z34NPBF P-Kanal MOSFET, 55 V / 19 A, 68 W, TO-220AB 3-Pin
inkl. gesetzl. MwSt. zzgl. Versandkosten
DHL: 2,96 € / Versandkostenfrei ab 29 €
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 19 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V |
| Drain-Source-Widerstand max. | 100 mΩ |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET |
| Verlustleistung max. | 68 W |
| Länge | 10.54mm |
| Ausschaltverzögerungszeit | 30 ns |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 620 pF @ 25 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Einschaltverzögerungszeit | 13 ns |
Artikel-Nr.: FDPF55N06
Artikel-Nr.: IRL530N
Artikel-Nr.: IRF4905
Artikel-Nr.: FQPF20N06L
Artikel-Nr.: IRF630
Artikel-Nr.: IRFB3077PBF
Artikel-Nr.: IRF1010EPBF
Artikel-Nr.: IRLZ34N
Artikel-Nr.: IRF820
Artikel-Nr.: FQPF20N60
Artikel-Nr.: IRFP450
Artikel-Nr.: IRFZ44N
Artikel-Nr.: 2SK3569
Artikel-Nr.: IRF640N
Artikel-Nr.: IRFB4410
Ihre Bewertung der Rezension kann nicht gesendet werden
Kommentar melden
Meldung gesendet
Ihre Meldung kann nicht gesendet werden
Eigenen Kommentar verfassen
Bewertung gesendet
Ihre Bewertung kann nicht gesendet werden
HEXFET IRF9Z34NPBF P-Kanal MOSFET, 55 V / 19 A, 68 W, TO-220AB 3-Pin
