Banner
inkl. gesetzl. MwSt. zzgl. Versandkosten
DHL: 2,96 € / Versandkostenfrei ab 29 €
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 202 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 333 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 131 nC @ 10 V |
Artikel-Nr.: FQPF33N10
Artikel-Nr.: IRF630
Artikel-Nr.: IRLI540NPBF
Artikel-Nr.: 2SK3569
Artikel-Nr.: IRF510
Artikel-Nr.: IRFZ48N
Artikel-Nr.: NDP6020P
Artikel-Nr.: IRLZ44N/10
Artikel-Nr.: IRL640
Artikel-Nr.: IRF9540
Artikel-Nr.: IRFZ34N
Artikel-Nr.: FQP27P06
Artikel-Nr.: IRLZ34N/10
Artikel-Nr.: IRF840
Ihre Bewertung der Rezension kann nicht gesendet werden
Kommentar melden
Meldung gesendet
Ihre Meldung kann nicht gesendet werden
Eigenen Kommentar verfassen
Bewertung gesendet
Ihre Bewertung kann nicht gesendet werden