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| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 202 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 333 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 131 nC @ 10 V |
Artikel-Nr.: IRFB3077PBF
Artikel-Nr.: IRF840
Artikel-Nr.: IRF4905
Artikel-Nr.: 2SK3565
Artikel-Nr.: IRLB3034
Artikel-Nr.: IRFB4410
Artikel-Nr.: IRLZ34N/10
Artikel-Nr.: IRFP250
Artikel-Nr.: FQPF33N10
Artikel-Nr.: IRF510
Artikel-Nr.: STP55NF06L
Artikel-Nr.: IRFZ48N
Artikel-Nr.: FQP13N06L
Artikel-Nr.: FQPF2N60
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