Artikel-Nr.: STP55NF06L
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Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 202 A |
Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
Gehäusegröße | TO-220AB |
Montage-Typ | Durchsteckmontage |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 4 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 333 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 131 nC @ 10 V |
Artikel-Nr.: STP55NF06L
Artikel-Nr.: IRFB7530
Artikel-Nr.: IRL1004
Artikel-Nr.: IRF1010EPBF
Artikel-Nr.: STP26NM60N
Artikel-Nr.: IRLZ34N/10
Artikel-Nr.: FGA25N120
Artikel-Nr.: IRL640
Artikel-Nr.: IRL530NS
Artikel-Nr.: IRFP240
Artikel-Nr.: IRLB3034
Artikel-Nr.: STW15NB50
Artikel-Nr.: IRLI540NPBF
Artikel-Nr.: IRF640N
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