Artikel-Nr.: FQPF2N60
Banner
Leistungs-MOSFET P-Ch TO-220 Logic Level 60V 27A 120W
inkl. gesetzl. MwSt. zzgl. Versandkosten
DHL: 3,50 € / Versandkostenfrei ab 39 €
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 27 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Drain-Source-Widerstand max. | 70 mΩ |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Pinanzahl | 3 |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET |
| Verlustleistung max. | 120 W |
| Länge | 10.1mm |
| Abmessungen | 10.1 x 4.7 x 9.4mm |
| Breite | 4.7mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Einschaltverzögerungszeit | 18 ns |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 1100 pF bei 25 V |
| Ausschaltverzögerungszeit | 30 ns |
| Höhe | 9.4mm |
| Serie | QFET |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Artikel-Nr.: FQPF2N60
Artikel-Nr.: IRLI540NPBF
Artikel-Nr.: STP60NF06
Artikel-Nr.: IRF840
Artikel-Nr.: IRF510
Artikel-Nr.: IRFZ34N
Artikel-Nr.: IRF3708
Artikel-Nr.: 2SK3569
Artikel-Nr.: BMS3003-1E
Artikel-Nr.: IRF9Z34N
Artikel-Nr.: IRFP260
Artikel-Nr.: STP6NK90ZFP
Artikel-Nr.: IRF830
Ihre Bewertung der Rezension kann nicht gesendet werden
Kommentar melden
Meldung gesendet
Ihre Meldung kann nicht gesendet werden
Eigenen Kommentar verfassen
Bewertung gesendet
Ihre Bewertung kann nicht gesendet werden
Leistungs-MOSFET P-Ch TO-220 Logic Level 60V 27A 120W