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Leistungs-MOSFET P-Ch TO-220 Logic Level 60V 27A 120W
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| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 27 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Drain-Source-Widerstand max. | 70 mΩ |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Pinanzahl | 3 |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET |
| Verlustleistung max. | 120 W |
| Länge | 10.1mm |
| Abmessungen | 10.1 x 4.7 x 9.4mm |
| Breite | 4.7mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Einschaltverzögerungszeit | 18 ns |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 1100 pF bei 25 V |
| Ausschaltverzögerungszeit | 30 ns |
| Höhe | 9.4mm |
| Serie | QFET |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Artikel-Nr.: IRLZ44N
Artikel-Nr.: IRFZ44N
Artikel-Nr.: FQPF20N60
Artikel-Nr.: IRFB4410
Artikel-Nr.: IRLB3034
Artikel-Nr.: IRL540NPBF
Artikel-Nr.: IRL1004
Artikel-Nr.: IRF630
Artikel-Nr.: IRFP450
Artikel-Nr.: IRF3708
Artikel-Nr.: STP10NK60
Artikel-Nr.: FQPF5N60C
Artikel-Nr.: STP110N7F6
Artikel-Nr.: IRF820
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Leistungs-MOSFET P-Ch TO-220 Logic Level 60V 27A 120W
