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IRL540NPBF N-MOSFET,logic level,100V, 33A, 140W
  • IRL540NPBF N-MOSFET,logic level,100V, 33A, 140W

FQP27P06 P-Kanal ,logic level, 60V, 27A, 120W

FQP27P06

 Leistungs-MOSFET P-Ch TO-220 Logic Level 60V 27A 120W

2,91 €
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Beschreibung
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 27 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Drain-Source-Widerstand max. 70 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V
Gehäusegröße TO-220AB
Montage-Typ Durchsteckmontage
Transistor-Konfiguration Einfach
Pinanzahl 3
Channel-Modus Enhancement
Kategorie Leistungs-MOSFET
Verlustleistung max. 120 W
Länge 10.1mm
Abmessungen 10.1 x 4.7 x 9.4mm
Breite 4.7mm
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. -55 °C
Einschaltverzögerungszeit 18 ns
Transistor-Werkstoff Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs 33 nC @ 10 V
Eingangskapazität typ. @ Vds 1100 pF bei 25 V
Ausschaltverzögerungszeit 30 ns
Höhe 9.4mm
Serie QFET
Betriebstemperatur max. +175 °C
Artikeldetails
FQP27P06
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