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IRFB4410 Mos-Fet N- 100V, 97A, 9mΩ, TO-220, 230 W
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IRFB4410 Mos-Fet N- 100V, 97A, 9mΩ, TO-220, 230 W

IRFB4410

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V 97 A, 9 mΩ, TO-220 3-Pin, 230 W, Serie HEXFET Si

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Beschreibung
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 97 A
Drain-Source-Spannung max. 100 V
Drain-Source-Widerstand max. 9 mΩ
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße TO-220
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Channel-Modus Enhancement
Kategorie Leistungs-MOSFET
Verlustleistung max. 230 W
Serie HEXFET
Höhe 16.51mm
Betriebstemperatur max. +175 °C
Einschaltverzögerungszeit 16 ns
Betriebstemperatur min. –55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 19 nC @ 50 V
Eingangskapazität typ. @ Vds 4820 pF @ 50 V
Diodendurchschlagsspannung 1.3V
Vorwärtssteilheit 140S
Ausschaltverzögerungszeit 43 ns
Breite 4.83mm
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Artikeldetails
IRFB4410
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