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IRFB4410 Mos-Fet N- 100V, 97A, 9mΩ, TO-220, 230 W
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V 97 A, 9 mΩ, TO-220 3-Pin, 230 W, Serie HEXFET Si
inkl. gesetzl. MwSt. zzgl. Versandkosten
DHL: 2,96 € / Versandkostenfrei ab 29 €
Beschreibung
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 97 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Drain-Source-Widerstand max. | 9 mΩ |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Gehäusegröße | TO-220 |
Montage-Typ | Durchsteckmontage |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Channel-Modus | Enhancement |
Kategorie | Leistungs-MOSFET |
Verlustleistung max. | 230 W |
Serie | HEXFET |
Höhe | 16.51mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Einschaltverzögerungszeit | 16 ns |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 19 nC @ 50 V |
Eingangskapazität typ. @ Vds | 4820 pF @ 50 V |
Diodendurchschlagsspannung | 1.3V |
Vorwärtssteilheit | 140S |
Ausschaltverzögerungszeit | 43 ns |
Breite | 4.83mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Artikeldetails
IRFB4410
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